由于最近在学习热激活延迟荧光的知识，为了更好的梳理其中的知识点，随产生了整理这篇文章的想法，可能内容不够全面，如有错误，还望理解。
定义
热激活延迟荧光（TADF）从发光上讲它仍然属于荧光（FL），但由于其经历了复杂的系间窜越（ISC）和反系间窜越（RISC），导致其表现出较为长的发光寿命，而RISC的前提是热能的吸收和较窄的单三重态能隙。TADF过程一般涉及处于三重态的激子，该激子向单重态的跃迁通常是禁阻的，通过吸收热能，三重态激子可以通过RISC过程将三重态激子转变为单重态激子，再通过单重态发射返回基态，因此称为热激活延迟荧光。TADF一般分为激基复合物型（E型）、分子内电荷转移型（ICT型）、空间电荷转移型（TSCT）、多共振型（MR型）、杂化局域-电荷转移型（HLCT型）、金属配合物型和聚合物/树枝状型。
发展
1961年通过研究化合物Eosin（伊红）被认为是TADF的第一个例子。（Trans. Faraday Soc. 1961, 57, 1894–1904.）1986年，使用芳香族硫酮进一步研究和描述了这种机制（E型）。（J. Phys. Chem. 1986, 90, 6314–6318.）2008年，Yersin及其同事提出TADF机制在OLED中的高效发光的应用，才开始了对其发光机制的深入研究。(Internal patent filing, University of Regensburg, 2006.)
伊红的分子结构后期明确后再修订
发光机制
TADF机制如图所示（基态是单重态），电子从基态（S0）被光激发至激发单重态（Sn），通过系间窜越（ISC）跃迁至激发三重态（Tn），由于第一激发单重态（S1）和第一激发三重态（T1）的能级较小，这部分电子又有可能通过反系间窜越（RISC）跃迁至Sn，最后通过单重态的辐射通道返回至S0。此外，在这个过程中存在多个能量的竞争路径（例如：荧光发射、磷光发射和能量转移），因此对于功能分子合理设计是使分子能够发射TADF的重要因素。
图片文献暂未找到，以后找到再进行补充
对于传统发光材料，只能收集单重激发态激子。因此，由于自旋禁阻，只能利用25%的激子，而对于TADF材料，可以实现三重态激子到单重态激子的反系间窜越，在理论上就可以利用100%的激子。
影响因素
根据TADF的发光路径，不难推理出几个关键的动力学特征决定了材料通过TADF有效产生光的能力，同时应最大限度地减少热损耗途径。ISC速率（kISC）和RISC速率（kRISC）应尽可能的快，而这两个数值均有自旋轨道耦合（SOC）常数决定。特别的kRISC应该比三重态非辐射跃迁速率（knr）快。
系间窜越常数计算公式：
$$ k_{\mathrm{isc}}=\frac{2\pi}{\hbar}|H_{\mathrm{SOC}}|^2\frac{1}{\sqrt{4\pi\lambda k_{\mathrm{B}}T}}\mathrm{exp}\left[-\frac{(\lambda+\Delta E_{\mathrm{S-T}})^2}{4\lambda k_{\mathrm{B}}T}\right] $$
$$ \hbar = \frac{h}{2\pi} $$
h：普朗克常数（6.62607015×10−34 J⋅s）
HSOC：旋轨耦合矩阵元
$ \lambda $：重组能
kB：玻尔兹曼常数（8.617×10−5 eV/K）
T：温度（298 K）
$\Delta E_{\mathrm{S-T}}$：单三重态能隙（$E_{\mathrm{S_1}}-E_{\mathrm{T_1}}$），数值需大于0
反系间窜越常数计算公式：
$$ k_{\mathrm{risc}}=k_{\mathrm{isc}}\cdot\exp\left(-\frac{\Delta E_{\mathrm{S-T}}}{k_BT}\right) $$
通过上面的公式不难发现，另一个关键特征就是单重激发态和三重激发态之间的能级差，这个数值应该尽可能的小，因为，kRISC指数级依赖于这个数值。这也是被认为合成潜在TADF材料的重要策略之一。
最后就是TADF衰变应尽可能短，以减少激发期间不需要的化学反应。